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靶材提純方法-沈陽稀有金屬研究所

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                靶材提純方法

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                靶材提純方法

                發布日期:2019-11-25 作者: 點擊:

                靶材提純方法

                在VLSI的制造過程中重復使用的濺射過程是一種物理氣相沉積(PVD)技術,并且是制備電子薄膜材料的主要技術之一。

                靶材

                歐凱的目標指出,濺射過程中離子源產生的離子被加速并在高真空中積聚,形成高速能量離子束,轟擊固體表面,并且在離子之間發生動能交換。 固體表面原子。 固體表面上的原子離開固體,并沉積在基材表面上。 被轟擊的固體是用于通過濺射方法沉積薄膜的原材料,被稱為濺射靶。

                濺射靶材的種類很多,甚至相同材料的濺射靶材也具有不同的規格。 根據不同的分類方法,濺射靶可分為不同的類別。主要分類如下:

                按形狀分類:長目標,方形目標,圓形目標

                按化學成分分類:金屬靶材(純金屬鋁,鈦,銅,鉭等),合金靶材(鎳鉻合金,鎳鈷合金等),陶瓷靶材(氧化物,硅化物,碳化物),硫化物 等)

                按應用領域分類:半導體芯片目標,平板顯示器目標,太陽能電池目標,信息存儲目標,I修改目標,電子設備目標,其他目標。

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                本文網址:http://www.allegri-net.com/news/487.html

                關鍵詞:沈陽靶材,靶材廠家,靶材哪家好

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